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| 型号 | PEMD6,115 |
| 厂商 | NXP Semiconductors |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666 |
| PEMD6,115 PDF |  |
| 代理商 | PEMD6,115 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 4.7k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 1mA，5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 100mV @ 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-666 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | 934056709115 PEMD6 T/R PEMD6 T/R-ND |
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